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三星拟投建新NAND Flash生产线

作者:本站 点击:213 发布时间:2017-09-29 17:31:48

  6月1日,三星电子 (Samsung Electronics) 宣布,将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线年下半年大规模生产三星的V-NAND存储器铺平道路。

  据三星官方消息指出,新工厂位于韩国平泽2号线月量产,将专门用于制造三星更先进的V-NAND存储器。虽然官方暂未公布具体投资金额,但业界推测该新NAND生产线万亿韩元。

  三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能 (AI)、物联网 (IoT) 、以及5G的普及而带来的NAND需求。业者认为,三星电子近期连续宣布的投资计划,尤其是在目前新冠疫情重创全球经济的情况下,反映出其欲在全球闪存市场继续拉大优势的决心。

  集邦咨询(TrendForce)半导体研究中心(DRAMeXchange)分析师认为,三星持续对NAND Flash增加资本支出,除了维持产品竞争力,也巩固未来市占份额。三星该新厂的建置也将使该公司的内部产能配置 (between DRAM and NAND Flash) 更有弹性。

  至于三星建新厂是否会对市场价格造成影响,集邦咨询则维持原先预测,长期的NAND Flash价格趋势恐将持续走弱。


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